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光敏單模光纖

簡要描述:光敏單模光纖:IXF-PHO-CMF和IXF-PHO-CMF-PM設計用于抑制包層模損耗(無CMF包層模)。該光纖具有類似于大多數標準SMF的模場直徑,其具有相對低的光敏性,該光敏性可以用氫負載來增強。主要優點是與極低雙折射和低相位噪聲相關的包層模抑制,使其適用于補償大色散的光柵。

  • 產品品牌:其他品牌
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2025-11-03
  • 訪  問  量:1332

詳細介紹

品牌其他品牌應用領域綜合

光敏單模光纖 

用于布拉格光柵

我們提供2種不同類型的光敏單模光纖

IXF-PHO-CMF和IXF-PHO-CMF-PM設計用于抑制包層模損耗(無CMF包層模)。該光纖具有類似于大多數標準SMF的模場直徑,其具有相對低的光敏性,該光敏性可以用氫負載來增強。主要優點是與極低雙折射和低相位噪聲相關的包層模抑制,使其適用于補償大色散的光柵。

IXF-PHO-CMS設計用于調整包層模式偏移(CMS包層模式偏移),以優化信道間隔。這種光纖具有非常高的鍺纖芯濃度,與國外摻硼纖芯光纖相比具有低的衰減,在沒有氫負載的情況下實現高反射率光柵。CMS系列將使包層模式偏移高達10 nm。

兩種光敏纖維對常規UV輻射技術都表現出均勻和受控的光敏性。類似的纖維也有聚酰亞胺涂層,適用于惡劣環境。

光敏單模光纖關鍵特征

l出色的包層模抑制

l與傳輸匹配的模場直徑

應用覆蓋

l光纖布拉格光柵

l增益平坦濾波器

l寬帶濾波器

l溫度和應變傳感器

技術數據

光敏單模光纖 

主要規格

產品名稱

光纖纖芯直徑(μm)

纖芯數值孔徑

衰減@1550nm

(dB/km)

截止波長(nm)

模場直徑(μm)

SMF的拼接損耗(dB)

包層模式

IXF-PHO-CMF

8.2

0.13

< 0.5

< 1400

10.5 +/- 1

< 0.07

< 0.2 dB for FBG > 30 dB

IXF-PHO-CMF-PM

8.2

0.13

< 0.5

< 1450

10.5 +/- 1

< 0.07

< 0.2 dB for FBG > 30 dB

IXF-PHO-CMSp

5

0.21

< 2

< 1450

6 +/- 1

< 0.12

Shift up to 4 nm

IXF-PHO-CMS

2.8

0.37

< 10

< 1450

4 +/- 1

< 0.25

Shift up to 9 nm

常見規格

外包層直徑(μm):125+/-2

涂層直徑(μm):245+/-15

芯/涂層濃度誤差(μm):<15

驗證試驗等級(KPSI):100

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