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單模光纖

簡要描述:單模光纖:高NAS光纖具有優異的抗彎曲損耗的堅固性,并且由于其改進的光敏性而無需氫化,因此也常用于FBG刻寫。UV-Vis光纖具有純二氧化硅纖芯,以提高對日曬作用的抵抗力,在550nm以上工作的光纖具有Ge摻雜的纖芯。單模純硅芯光纖也可在NIR中工作,并在“惡劣環境"部分中列出。包層直徑為Ø80µm的光纖可減少占用空間,同時提高彎曲時的機械可靠性。纖維可以涂上標準的高溫丙烯酸酯或聚酰亞胺。

  • 產品品牌:其他品牌
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2025-11-03
  • 訪  問  量:143

詳細介紹

品牌其他品牌應用領域綜合

單模光纖 

用于惡劣環境的緩沖涂層

單模光纖我們提供工作波長在375 nm和1650 nm之間的單模光纖,NA在0.12和0.37之間。高NAS光纖具有優異的抗彎曲損耗的堅固性,并且由于其改進的光敏性而無需氫化,因此也常用于FBG刻寫。

UV-Vis光纖具有純二氧化硅纖芯,以提高對日曬作用的抵抗力,在550nm以上工作的光纖具有Ge摻雜的纖芯。單模純硅芯光纖也可在NIR中工作,并在“惡劣環境"部分中列出。

包層直徑為?80µm的光纖可減少占用空間,同時提高彎曲時的機械可靠性。纖維可以涂上標準的高溫丙烯酸酯或聚酰亞胺。

關鍵特征

l375至1650納米操作

l純二氧化硅芯(UV/VIS)或摻鍺(VIS/NIR)

l?125µm、?80µm或定制包層直徑

l丙烯酸酯、高溫丙烯酸酯或聚酰亞胺涂料

應用覆蓋

lPigtailing

l傳感(DAS、DTS、DSS)

l光纖光柵刻字

l生物醫學

主要規格

產品名稱

規格

IXF-SM-375-125-010

UV-Vis operation

Solarization   resistant, pure silica core

0.10 core NA

IXF-SM-780-125-014

780 nm operation

0.14 core NA

IXF-SM-1550-60-019

1550 nm operation

60 µm cladding diameter

0.19 Core NA

IXF-SM-1550-80-016

1550 nm operation

80 µm cladding diameter

0.16 Core NA

IXF-SM-1550-80-019

1550 nm operation

60 µm cladding diameter

0.19 Core NA

IXF-SM-1550-80-022

1550 nm operation

80 µm cladding diameter

0.22 core NA

IXF-SM-1550-125-012-PI

Low radiation level

Polyimide coating

IXF-SM-1550-125-014-PI

Low radiation level

Polyimide coating

IXF-SM-1550-80-019-PI

Low radiation level

Polyimide coating

IXF-SM-1550-80-024-PI

Low radiation level

Polyimide coating

IXF-SM-1550-125-028-PI

Low radiation level

Polyimide coating

IXF-SM-1550-125-014-HT

Low radiation level

Polyimide coating

IXF-PHO-CMS

Cladding Mode Shifted

Up to 9 nm,   <0.25 dB splice loss

IXF-PHO-CMSP

Cladding Mode Shifted

Up to 9 nm,   <0.25 dB splice loss

 


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