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RAD硬光纖

簡要描述:RAD硬光纖:十多年來,我們在輻射環境(如核電站、高能物理實驗室、核廢料儲存庫,甚至進入太空)中的光纖設計方面開發了特殊的技術。我們開發并維護一條全面的光纖產品線,旨在滿足許多此類應用。我們的光纖可用于數據傳輸、傳感或實驗監測。

  • 產品品牌:其他品牌
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2025-11-03
  • 訪  問  量:1518

詳細介紹

品牌其他品牌應用領域綜合

RAD硬光纖 

用于惡劣環境的涂料

RAD硬光纖十多年來,我們在輻射環境(如核電站、高能物理實驗室、核廢料儲存庫,甚至進入太空)中的光纖設計方面開發了特殊的技術。我們開發并維護一條全面的光纖產品線,旨在滿足許多此類應用。我們的光纖可用于數據傳輸、傳感或實驗監測。

更多的光纖有現貨供應,而且我們有能力根據您的具體應用定制設計您的光纖。如果您有具體的技術要求,請隨時與我們聯系。

RAD硬光纖關鍵特征

l低輻射感生衰減

l低彎曲損耗

l適用于每種輻射環境的化學核心組合物

l適用于惡劣環境的多種涂料選擇

l出色的機械保護

應用覆蓋

l                      核環境

l                      高能物理

l                      空間

主要規格

低輻射水平

產品名稱

纖芯數值孔徑

衰減@ 1550 nm

(dB/km)

截止波長(nm)

模場直徑@ 1550 nm

(μm)

包層直徑

(μm)

涂層直徑(μm)

工作溫度范圍(°C)

涂層材料

IXF-SM-1550-80-019-PI

0.19

< 2

< 1450

6.6 ± 1

80 ± 1

110 ± 5

-60 / +300

Polyimide

IXF-SM-1550-80-024-PI

0.24

< 1.5

< 1450

5.3 ± 0.5

80 ± 1

110 ± 5

-60 / +300

Polyimide

IXF-SM-1550-125-012-PI

0.12

< 0.5

< 1350

10.4 ± 0.5

125 ± 1

155 ± 5

-60 / +300

Polyimide

IXF-SM-1550-125-014-PI

0.14

< 0.4

< 1275

8.5 ± 0.5

125 ± 1

155 +/-5

-60 / +300

Polyimide

IXF-SM-1550-125-028-PI

0.28

< 5.0

< 1350

4.5 ± 0.5

125 ± 1

155 ± 5

-60 / +300

Polyimide

IXF-SM-1550-125-014-HT

0.14

< 0.4

< 1275

8.5 ± 0.5

125 ± 1

245 ± 15

-60 / +150

Acrylate

其他產品規格

l對于20 kGy(γ射線),1550 nm處的輻射誘導衰減(dB/km):~25

l驗證試驗等級(KPSI):100

高輻射水平

產品名稱

纖芯數值孔徑

衰減@ 1550 nm

(dB/km)

截止波長(nm)

外包層直徑

(μm)

涂層直徑(μm)

工作溫度范圍(°C)

涂層材料

 IXF-RAD-SM-1550-014-HT

0.14

< 0.6

< 1450

125 ± 2

245 ± 15

-60 / +150

Acrylate

IXF-RAD-SM-1550-014-PI

0.14

< 0.6

< 1450

125 ± 2

155 ± 5

-60 / +300

Polyimide

IXF-RAD-SM-1550-0.14-AL

0.14

< 20

< 1450

125 ± 2

165 ± 15

Up to 400*

Aluminum

XF-MMF-105-125-0.22-RAD

0.22

 

-

-

245 ± 15

-

-

*高溫鋁涂層

其他產品規格

l模場直徑@1550 nm(μm):9+/-1

l纖芯/包層偏移(μm):<1

l芯材:純硅

l1 mGy(γ射線)在1550 nm處的輻射誘導衰減(dB/km):~25

l驗證試驗等級(KSPI):100

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